巨磁电阻效应
2023-04-07 来源:文库网
巨磁电阻效应
本文核心词:电阻,存储器,磁头,巨磁电阻效应金属材料或半金属材料的电阻值在外加磁场的作用下会发生变化,这就是磁电阻效应。目前已经被研究的磁电阻效应大致可以分为以下四种:正常磁电阻(Ordinary MagnetoResistance, OMR)、各向异性磁电阻(Anisotropic MagnetoResistance, AMR)、巨磁电阻及其变体隧穿磁电阻(Tunnel MagnetoResistance, TMR)。其中巨磁电阻效应及其变体应用最为广泛,并已在存储和传感器等领域广泛应用。
1986年,Grunberg等人在Fe/Cr/Fe三层薄膜中发现了两层Fe之间存在间接反铁磁性交换耦合作用,1988年Grunberg进一步发现这种三层膜结构的室温磁电阻可达1.5%,几乎与此同时,Baibich等人在分子束外延法制备出的(Fe/Cr)n超晶格结构中检测到17%的室温磁电阻和50%的低温磁电阻,并将其命名为巨磁电阻效应。巨磁电阻GMR一般定义为:
巨磁电阻GMR
式中RAP和RP分别是相邻铁磁层磁矩分别为反平行和平行时的电阻值。由于发现了GMR效应,Grunberg和Baibich共同获得了2007年诺贝尔物理学奖。